SAM半導體可飽和吸收鏡的微觀特性：

　　1、能帶間隙即禁帶寬度。它決定半導體可飽和吸收體的吸收波長，吸收系數一般在104/cm左右。以III-V族化合物半導體為例,吸收帶一般在可見光和近紅外波段。為了適應各種吸收波長的需要，常常要用三元化合物半導體,如砷化鎵鋁(AlGaAs)，砷化銦鎵(InGaAs)，砷化銦鋁(InAlAs)等。

　　

　　2、晶格常數。半導體可飽和吸收體一般是用外延法生長在半導體襯底上的，襯底的晶格常數與要生長的半導體化合物的晶格常數原則上應該相同，若不一致，則會在生長層上造成一定應變(strain)，可分為壓縮型和擴張型。無論那種類型的應變都會影響禁帶寬度，因而禁帶寬度的改變不是任意的，要受襯底晶格常數的制約。

　　

　　3、量子阱。當吸收體薄到一定程度，并被夾在高禁帶寬度的材料中間，就變成了所謂量子阱。在設計半導體可飽和吸收體時，根據吸收能量的大小，可以采用體吸收，也可以采用量子阱結構。對于利用克爾效應鎖模的激光器，僅僅需要百之零點幾至百分之幾的吸收，所以可飽和吸收體的厚度只需要幾個nm。

　　

　　4、時間特性。半導體可飽和吸收體之所以可以啟動鎖模，是因為它的高速時間特性。一般來說半導體的吸收有兩個特征弛豫時間，一是帶內子帶之間的熱化(intrabandthermalization)，二是帶間躍遷(interbandtransition)。帶內熱化是被激發(fā)到導帶的電子向子帶躍遷的物理過程，這個時間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷時間是電子從導帶向價帶的躍遷，相對較長，從幾ps到幾百ps。